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Diskrete Halbleiter-Produkte
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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CSD16415Q5T
| Artikelnummer: | CSD16415Q5T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | N/A |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
CSD16415Q5T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD16415Q5T.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA Vgs (Max) +16V, -12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6) Serie NexFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V Verlustleistung (max) 3.2W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 12.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta) Grundproduktnummer CSD16415 CSD16415Q5T Einzelheiten PDF [English] CSD16415Q5T PDF - EN.pdf -
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